МЕЖДУНАРОДНЫЙ СЕМИНАР
“РАЗРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОМПОНЕНТОВ
И ЭЛЕКТРОНИКИ: ИССЛЕДОВАНИЯ И РАЗРАБОТКИ
В РАМКАХ РОССИЙСКО‐ЕВРОПЕЙСКОГО СОТРУДНИЧЕСТВА”
(Ульяновск, 19–20 мая 2011)

С 1 января 2007 года действует Седьмая Рамочная Программа (7РП) Европейского Союза по научно-технологическому развитию на 2007–2013 гг. 7РП – одна из крупнейших в мире программ поддержки научных исследований с общим бюджетом 53,2 млрд. €. Целью 7РП является создание и развитие европейского научного пространства (European Research Area), повышение конкурентоспособности европейской науки и построение в Европе экономики и общества, основанных на знаниях, развитие равноправного и взаимовыгодного научно-технологического сотрудничества научных коллективов ЕС с учеными других стран. Для научной общественности России 7РП представляет особый интерес, поскольку она открыта для стран, не входящих в ЕС.

19–20 мая на базе Ульяновского Государственного Технического Университета в рамках проекта 7РП «Стимулирование российско‐европейского сотрудничества в области разработки полупроводников» («Stimulating Semiconductor Design Cooperation between Europe and Russia» – SEMIDEC – http://www.semidec‐ru.eu) при содействии Ульяновского Центра Трансфера Технологий (http://ctt.ulstu.ru) состоялся международный семинар «Разработка полупроводниковых компонентов и электроники». Целью семинара являлось расширение научно‐технического сотрудничества между Евросоюзом и Россией в сфере технологий создания полупроводниковых компонентов и электроники, которая является одной из ключевых тем сотрудничества, определенных в 7РП.

В семинаре принимали участие делегаты от стран членов Евросоюза (Великобритании, Германии, Эстонии), а также представители ведущих российских компаний и научных организаций Москвы, Самары, Саратова, Воронежа, Санкт‐Петербурга, Томска, Новосибирска, Ульяновска и г. Шахты.

Программа семинара включала два основных компонента:

1) ознакомление с возможностями по сотрудничеству в области разработки полупроводниковых компонентов и электроники по 7‐й Рамочной Программе Евросоюза, обсуждение приоритетных задач и перспектив европейско‐российского партнерства в данной сфере;

2) «брокерская» встреча между российскими и европейскими организациями и коллегами, представление проектов по организации сотрудничества в рамках научных исследований и разработок.

Отдельное внимание и высокий приоритет уделялись тематикам, связанным с промышленным сектором европейско‐российского сотрудничества: производство интегральных схем, микроэлектроника, физика полупроводников и нанотехнологии, телекоммуникации.

В рамках семинара был организован специальный тренинг под руководством ведущих российских и европейских консультантов для координации совместной работы в 7‐й Рамочной Программе Евросоюза.

Таким образом, участники семинара получили возможность: 1) встретиться с представителями ведущих европейских и российских компаний в области разработки полупроводниковых компонентов и электроники; 2) получить сведения о последних достижениях в области разработки полупроводниковых компонентов и электроники по материалам презентаций исследователей и разработчиков; 3) проконсультироваться по техническим и административным вопросам, относящимся к 7‐й Рамочной Программе Евросоюза, по подготовке совместных проектов в области разработки полупроводниковых компонентов и электроники; 4) наладить контакты с научно‐исследовательскими и промышленными компаниями.

Примечательно, что в семинаре «Разработка полупроводниковых компонентов и электроники» приняли участие авторы тематических сборников САД (КЛИН) – Д.И. Стенюшкин и К.С. Горшков. Их доклады объединяла общая тематика – автоматизированное проектирование. Презентация аспиранта УлГТУ Д.И. Стенюшкина была посвящена результатам исследований, проводившихся в нашем университете, в области автоматизации разработки программируемых логических устройств. К.С. Горшков в своем докладе представил вниманию коллег проект по созданию системы SCADS – первой российской САПР, объединяющей все этапы схемотехнического проектирования электрических цепей в единой системе и позволяющей проводить автоматизированный структурный и параметрический синтез электрических цепей, синтез допусков на параметры элементов и определение погрешностей преобразования электрических сигналов.